Trong nhiều trường hợp dùng chất bán dẫn silicon, thì thực hiện tạo lớp điện môi là oxyt silic bằng oxy hóa nhiệt, sau đó ngưng kết hơi kim loại để tạo điện cực.

Việc thu mỏng lớp điện môi làm tăng điện dung, nhưng không thể nhỏ hơn 10 nm. Đây là là khoảng cách bắt đầu xảy ra hiệu ứng đường hầm, và là "bức tường chắn" không vượt được về kỹ thuật.